Дар MISFET чӣ гуна аст?

Пойгоҳи унсури дастгоҳҳои нимноқилҳо ба афзуншавӣ дорад. Ҳар як ихтироъ нав дар соҳаи, ки дар асл, фикри тағйир додани ҳамаи системаҳои электронӣ. Таѓйир додани имкониятҳои тарҳи ноҳиявӣ дар тањияи дастгоҳҳои нав дар бораи онҳо пайдо мешаванд. Аз ихтирои ба transistor якум (1948 г) дар як муддати дароз ќабул карда шуд. Ин сохтори "pnp» ва «npn», ихтироъ шуда буд транзистор дуқутба. Беш аз он вақт зоҳир НИИ transistor, фаъолият оид ба принсипи тағйирот дар гузаронандагии барқ аз қабати болоии нимноқилҳо дар зери таъсири майдони электрикӣ. Аз ин рӯ, номи дигари ин элементи - майдони.

Ихтисороти TIR худ (металл-insulator-нимноқилҳо) тавсиф сохтори дохилии ин дастгоҳи. Ва бидонад, ки парда аз он аст, ки аз манбаъ ва резиши бо қабати тунуки ғайридавлатӣ катонро ҷудо карданд. Муосир transistor НИИ дорад дарозии дарвозаи 0,6 microns. Ба воситаи он танҳо метавонад мегузарад майдони электромагнитӣ -, ки ин давлат барқ аз нимноқилҳо таъсир мерасонад.

Биёед ба чӣ гуна назар transistor соҳаи-таъсир, ва пайдо чӣ фарқи асосии аз дуқутба аст "бародар". Вақте, ки иқтидори зарурӣ дар назди дарвозаи он аст, майдони электромагнитӣ аст. Ин муқовимати умрам умрам сарчашма резиши таъсир мерасонад. Дар ин ҷо баъзе аз манфиатҳои истифодабарии ин дастгоҳ ба мебошанд.

• Дар давлати кушода муқовимат гузариш роҳи резиши-манбаи хеле хурд аст, ва transistor НИИ бо муваффақият ба сифати калиди электронӣ истифода бурда мешавад. Масалан, он метавонад идора щуввазиёдкунӣ амалиётӣ, бе дахолати сарбории ё иштирок дар нокилҳои мантиқ аст.
• Инчунин аз қайд ва impedance вуруди баланди дастгоҳ. Ин хосият хеле дахлдор аст, вақте ки кор дар нокилҳои паст барқ.
• иќтидори гузариш резиши-сарчашмаи пасти имкон медиҳад, transistor НИИ дар дастгоҳҳои Басомади баланд. Дар ҳеҷ як таҳриф ҳангоми интиқоли сигнал рух медиҳад.
• Рушди технологияҳои нав дар истеҳсолот унсурҳои ба эҷоди IGBT-транзистор, ки дар якчояги боиси хислатҳои мусбати соҳаи ва ҳуҷайраҳои дуқутба. Модулҳои Ҳокимият дар асоси онҳо ба таври васеъ дар starters мулоим ва тағйирдиҳии басомад истифода бурда мешавад.

Дар таҳия ва амалиёти аз ин унсурҳо бояд ба инобат гирифта шавад, ки транзистор НИИ хеле ҳассос ба overvoltage дар ноҳиявӣ ва ҳастанд барқ исто. Ин аст, ки дастгоҳ метавонанд зарар бинанд, агар шумо терминалҳои назоратӣ ламс кунад. Вақте ки насби ё аз байн истифодаи grounding махсус.

Дурнамои барои истифодаи ин дастгоҳ хеле хуб аст. Бо сабаби ба моликияти беназир худ, он аст, ба таври васеъ дар таҷҳизоти гуногуни электронӣ истифода бурда мешавад. Самтҳои инноватсионӣ дар электроникаи муосир истифодаи қувваи IGBT-модулҳои барои амалиёт дар нокилҳои гуногун, аз ҷумла, ва induction аст.

Дар технологияи истеҳсоли онҳо пайваста такмил. Ин аст, ки барои дарозии (паст) дарвоза густариш тањия карда мешавад. Ин параметрҳои иҷрои аллакай хуб дастгоҳ беҳтар.